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密集服务器与明年的Intel Xeon D升温

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Anonim

在来自ARM服务器的竞争之前,英特尔正在利用新的Xeon D系列芯片在服务器领域占据更多的份额,明年将在系统中使用。

至强D芯片将成为第一台服务器芯片制造商将在明年开始推出密集型服务器,该芯片制造商在英特尔开发者论坛上表示,英特尔已经开始将Xeon D芯片交付客户进行测试,高级副总裁Diane Bryant表示,英特尔数据中心集团总经理周三在一次主题演讲中表示,该芯片面向超大规模工作负载,其中服务器不断增加以提升性能。像Facebook和谷歌这样的公司购买数以千计的服务器来处理不断增长的工作负载。至强D实际上是一个片上系统,它将结合许多组件来为基于Web的存储或网络工作负载提供高能效的性能。 。该芯片系列将具有用于网络和存储设备的I / O和控制器。英特尔已经推出了Xeon E3以及代号为Avoton的Atom芯片,以处理在线工作负载。但至强D芯片将比基于移动芯片中使用的Silvermont架构的Avoton更快,更耗电。 “至强D的目标是帮助客户在服务器中提供更高的每瓦性能,”布莱恩特表示,“英特尔此前预计至强D,代号为Broadwell DE,将于2014年底推出。但基于Broadwell的PC,平板电脑和服务器芯片由于制造故障而延期。

科比还表示,英特尔希望提供可针对特定工作负载量身定制的芯片,它已经为像eBay这样的特定客户提供了服务。在主题演讲中,科比表示,英特尔将允许FPGA(现场可编程门阵列)与芯片内置于同一封装内,但并未特别指出至强D.英特尔已经将FPGA与服务器芯片封装多年。

至强D将加速英特尔与ARM的战斗,ARM的处理器设计将在明年在服务器上进行。 AppliedMicro和Advanced Micro Devices正在为密集服务器生产64位ARM芯片,但产品已经推迟。 Nvidia和三星已经取消了制造基于ARM的服务器芯片的计划

英特尔的芯片已经进入90%以上的服务器,而像戴尔这样的服务器制造商已经表示,由于产品延迟,ARM服务器成功的机会正在减少。 ARM服务器芯片基于ARMv8架构,集成了网络,存储和I / O控制器。英特尔在ARM开发软件方面也处于领先地位。至强D还将成为英特尔首款采用14纳米工艺制造的服务器芯片,这将提供功率效率和性能优势。首批采用14纳米工艺制造的芯片Core M已经在本月晚些时候在平板电脑混合系统中推出。本周早些时候,英特尔宣布推出至强E5-2600 v3芯片,该芯片基于Haswell架构。 Xeon E5芯片占英特尔服务器芯片出货量的80%以上。英特尔的至强E5产品线将于明年某个时间转移到Broadwell。

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