英特尔下一代芯片的性能提升？英特尔表示，它将持续提供10至20％的性能提升，纳米和7纳米制造工艺

每个人的优点都促成了一个有趣的争论，那些希望获得更高性能或更长电池寿命的人他们的电脑。但原始CPU性能推动了AMD与英特尔之间的持续竞争。英特尔公司首席执行官Brian Krzanich表示，基于即将推出的10纳米和7纳米制造工艺，英特尔希望继续提供基于即将推出的10纳米和7纳米制造工艺的芯片10％至20％的性能提升。一些评论家认为这些数字可能会增加，这就是AMD即将推出的Zen PC芯片受到关注的原因。 AMD首席技术官Mark Papermaster表示，芯片制造商在历史上没有看到Zen的大幅性能提升。本周，AMD首席执行官Lisa Su在Computex上将Zen称为“高性能”芯片。

削减成本和功耗

但英特尔目标不同，更注重于增加笔记本电脑的电池寿命并保持个人电脑实惠英特尔的首要任务是减小芯片尺寸，同时降低功耗和制造成本。“对我而言，过程领先地位是每个晶体管的成本和每瓦特性能类型的数字，这确实是我们认为我们会继续的地方“Krzanich周三在纽约伯恩斯坦年度战略决策会议上表示，”英特尔正在考虑在竞争对手之前推出新的制造技术，这将有助于实现制造成本和每单位性能之间的平衡，瓦。 Krzanich说，这些变化将使英特尔在竞争对手方面拥有持续的制造优势。英特尔制造自己的芯片，不像AMD，其芯片由合同制造商Globalfoundries生产。英特尔的其他竞争对手包括三星和台湾积体电路制造公司（TSMC）。“如果您也……与竞争对手交谈，他们表示10纳米性能将有小幅提升， nm性能。我们计划在这些节点中的每一个节点上都有一致的性能提升10％到20％，“Krzanich说。”几十年来，英特尔一直使用摩尔定律作为指导星，以填充更多的晶体管，同时减小尺寸和功耗芯片的消耗。从每两年增加一次晶体管数量 - 这是推动CPU性能的关键 - 英特尔对摩尔定律的解释现在更多地与芯片制造的经济性有关，这有助于推进PC芯片技术，同时保持价格低廉。现在每三年推进一次制造技术，而不是两年。部分原因是芯片制造变得越来越复杂，同时也降低了英特尔投资数十亿美元建设新工厂的频率。

代号为Cannonlake的英特尔首款10-nm芯片预计将于2017年下半年发布。

竞争对手能否保持下去？

Tirias Research首席分析师Jim McGregor对Krzanich的性能主张由竞争对手制造的芯片进行的改进

正如英特尔所暗示的，来自竞争对手的初始性能数据可能意味着边际性能的提升，但随着制造工艺的成熟，性能改进可能会得到很大提升，McGregor说。英特尔遇到了这个问题，英特尔最初在14纳米工艺上挣扎。但随着这一进程的成熟，该公司看到了其芯片的性能提升。

三星可能是英特尔第一个跃升至10-nm的竞争对手。台积电表示，今年将开始生产10-nm芯片。

但AMD也有可能无法在后续芯片上复制Zen每周期40％的指令改进。 AMD正在转向采用3D晶体管结构的14纳米芯片，这是该公司旧芯片的彻底改变。

7纳米节点上的性能提升能力将通过EUV（极紫外）等先进制造工具实现，这使得可以在更短的范围内使用紫外光在芯片上刻蚀更精细的特征。虽然EUV已经推迟了很多年，并且仍然被认为是制造商实施的挑战，但是7-nm工艺被认为是主要的制造升级。

多年来，英特尔已经实现了许多芯片制造突破。它在2003年实现了应变硅，2007年实现了高K /金属栅极，2011年实现了三栅极晶体管，也被称为FinFET或3D晶体管。它正在寻找使用异质材料，如氮化镓 - 这是一种更好的导体 - 补充芯片上的硅片

Krzanich关注竞争对手的发展，同时也确信英特尔将保持其制造优势。“我很自信，至少在接下来的两个节点上，我们知道如何保持领先地位，”他说。