AMD显示Radeon Nano游戏性能基准测试

我们知道AMD的Radeon Nano小型显卡将很快推出。到今天为止，我们也对它的速度有了一个概念。在今天的圣何塞Hot Chips会议上，AMD高层发布了Radeon R9 Nano相对于Radeon R9 Fury X的表现和分立的R9 290X显卡，无论是在功耗和每瓦性能方面。

AMD

AMD宣称对于游戏

Far Cry 4 ，Fury X将运行在40每秒帧数，而Nano在同一个系统中每秒钟会少于35帧。至于R9 290X GPU，AMD的数据显示，使用该基准测试，它将每秒产生大约30帧。 AMD没有透露基准的分辨率或图像质量，但是，这是决定芯片实际速度的关键因素。测试是在3-GHz酷睿i7-5960X，16 GB RAM上进行的，Windows 8.1-DirectX 12在这里没有使用。 [进一步阅读：适用于PC游戏的最佳显卡]

AMD认为，AMD

HBM比现在使用的传统内存架构效率高得多，

六英寸Nano将耗用175瓦该公司表示：AMD：HBM的稳定性可以达到

Nano卡是AMD高性能斐济阵容的最新进入者，它使用AMD称之为高带宽内存（HBM），与SG海力士合作开发。 AMD之前发布了基于HBM和斐济技术的功能强大的Fury X和Fury卡。然而，如果没有别的东西，AMD相信HBM技术 - AMD在五月广泛描述 - 已被广泛证实。 AMD高级研究员布莱恩布莱克说，它已经花了8年半的时间才得到我们今天的位置。“在AMD，芯片通常只需要两年的时间从​​概念到运输产品，”他说。

HBM使用了可称为3D堆叠内存技术的东西，其中GPU所使用的内存芯片堆叠在其上，从而实现大容量内存带宽，节省功耗并节省必要的电路板空间。由于AMD在GPU和内存之间建立了一个无源内插器，所以架构可能不被认为是真正的3D，但这是一个相对学术的区别。

HBM技术是如何工作的：内存堆叠在GPU顶部，中间有一个被动层。据Black介绍，HBM设计“在2012年非常大”，但是即便如此，产量仍然很高90％。从那时起，AMD一直致力于降低制造成本，“这在2014年达到了”，他说。“因此，Black非常有信心地认为斐济建立的HBM技术可以发挥作用。 “请记住，我们已经为此工作了八年半，”他说。 “我们已经看到了每一个可能存在的可靠性问题，并且我们已经把它击败了。”

但是，如果有一个问题出现，那就是AMD似乎已经将自己锁定在一个内存供应商身上。 HBM使用的接口是开放的JEDEC规范，并向任何内存供应商开放。但Black表示，AMD已经与SG Hynix密切合作，不仅共同定义接口而且使用了物理材料。 “挑战在于我们比以前更接近这些家伙，”他说，指的是两颗芯片的物理接近程度。 “这意味着他们挑选的材料必须与我们的材料组相互作用，否则我们可能会面临可靠性挑战。”